Graben-Gate-Halbleiterbauelement und Verfahren zu Seiner Herstellung
EP2286455
Art B1
10. April 2019
Anmelder: Nexperia B.V., NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2286455
- Aktenzeichen
- EP09754266
- Anmeldetag
- 20. Mai 2009
- Veröffentlichung
- 10. April 2019
- Erteilung
- 10. April 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/739H01L29/08H01L21/336H01L21/331H01L21/324H01L21/74
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Nexperia B.V.
NXP B.V. - Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
Nexperia
Der Anmelder ist ein niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Nijmegen, der als Ausgründung aus NXP Semiconductors hervorging. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Halbleiter- und Elektrobauelemente, ergänzt durch Elektronik, Schaltungstechnik und elektrische Energietechnik. Anmeldungen laufen seit 2009 durchgehend fort.
458 Patente in unserer Datenbank
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.918 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Crawford, Andrew
Nijmegen, Niederlande
618
Patente gesamt
20
Fachgebiete
6
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
- (deleted)
-
Williamson, Paul Lewis
NoneEindhoven