Halbleiterlaserdiode auf Galliumnitridbasis

EP2287981 Art B1 23. Januar 2013

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2287981
Aktenzeichen: EP10169584
Anmeldetag: 15. Juli 2010
Veröffentlichung: 23. Januar 2013
Erteilung: 23. Januar 2013
Rechtsraum: EP
IPC: H01S5/343

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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