Halbleitervorrichtung mit einem Feldeffekttransistor

EP2293335 Art B1 21. März 2012

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2293335
Aktenzeichen
EP10162504
Anmeldetag
11. Mai 2010
Veröffentlichung
21. März 2012
Erteilung
21. März 2012
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/778H01L29/06H01L29/417
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Kabushiki Kaisha Toshiba
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

13.649 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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