Epitaxialsubstrate für Halbleiterbauelement, Schottky-Übergangsstruktur und Verfahren zur Leckstromunterdrückung für Schottky-Übergangsstruktur

EP2296172 Art B1 23. April 2014

Anmelder: NGK Insulators, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2296172
Aktenzeichen: EP10172264
Anmeldetag: 9. August 2010
Veröffentlichung: 23. April 2014
Erteilung: 23. April 2014
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/335H01L29/04H01L29/778

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NGK Insulators, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NGK Insulators

Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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