Grabenkondensator und Verfahren zu dessen Herstellung
EP2297774
Art A1
23. März 2011
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2297774
- Aktenzeichen
- EP09754288
- Anmeldetag
- 26. Mai 2009
- Veröffentlichung
- 23. März 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/02H01L21/316
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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Vertreten von
Williamson, Paul Lewis
Eindhoven, Niederlande
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