Siliciumnitridplatte, Verfahren zur Herstellung der Siliciumnitridplatte und Siliciumnitrid-Leiterplatte und Halbleitermodul unter Verwendung der Siliciumnitridplatte
EP2301906
Art B1
23. Oktober 2019
Anmelder: Hitachi Metals, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2301906
- Aktenzeichen
- EP09773579
- Anmeldetag
- 3. Juli 2009
- Veröffentlichung
- 23. Oktober 2019
- Erteilung
- 23. Oktober 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C04B35/584H01L23/12H01L23/13H01L23/15H05K1/03
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Hitachi Metals, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Proterial
Japanisches Unternehmen (frühere Firmierung Hitachi Metals), das Spezialstähle, Magnetwerkstoffe und Metallkomponenten für Industrie und Automobilbau herstellt.
1.209 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Möbus, Steffen
München, Deutschland
63
Patente gesamt
25
Fachgebiete
3
Anmelder-Länder
Schwerpunkte