Verfahren zur Herstellung eines SI(1-V-W-X)cwalxnv-Substrats, Verfahren zur Herstellung eines Epitaktischen Wafers, SI(1-V-W-X)cwalxnv-Substrat und Epitaktischer Wafer
EP2302110
Art B1
28. Januar 2015
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2302110
- Aktenzeichen
- EP09735559
- Anmeldetag
- 17. April 2009
- Veröffentlichung
- 28. Januar 2015
- Erteilung
- 28. Januar 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B23/00C30B25/00C30B28/12C30B28/14C30B25/02C30B29/36C30B29/38C30B29/40H01L21/02C23C14/06C23C14/28
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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