Nitridhalbleitersubstrat, Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung des Nitridhalbleitersubstrats und des Halbleiterbauelements

EP2302113 Art A1 30. März 2011

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2302113
Aktenzeichen: EP10168041
Anmeldetag: 1. Juli 2010
Veröffentlichung: 30. März 2011
Rechtsraum: EP
IPC: C30B33/00C30B29/40

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

11.186 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von