Halbleiterbauelement mit Anschlussfläche und Verfahren zu seiner Herstellung

EP2302672 Art A3 29. Juni 2011

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2302672
Aktenzeichen
EP10154220
Anmeldetag
22. Februar 2010
Veröffentlichung
29. Juni 2011
Rechtsraum
EP
IPC
H01L23/48H01L21/683H01L23/00H01L33/00
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Kabushiki Kaisha Toshiba
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

13.649 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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