Verfahren zur Herstellung einer Schnittstelle mit wenigen Defekten zwischen einem Dielektrikum und einer III/V-Verbindung

EP2306497 Art B1 6. Juni 2012

Anmelder: IMEC 🇧🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2306497
Aktenzeichen: EP10183705
Anmeldetag: 30. September 2010
Veröffentlichung: 6. Juni 2012
Erteilung: 6. Juni 2012
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/28H01L29/778H01L29/51// H01L29/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: IMEC
Land: 🇧🇪 Belgien

🇧🇪 imec

Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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