Verfahren zur Herstellung Gerippter Halbleiterbauelemente mit Grabenisolation
EP2311077
Art A1
20. April 2011
Anmelder: Innovative Foundry Technologies B.V., Advanced Micro Devices, Inc. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2311077
- Aktenzeichen
- EP09788962
- Anmeldetag
- 21. Juli 2009
- Veröffentlichung
- 20. April 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Innovative Foundry Technologies B.V.
Advanced Micro Devices, Inc. - Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
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Fachgebiete
Vertreten von
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Peterreins Schley
Peterreins Schley · München
-
Brookes Batchellor LLP
Brookes Batchellor LLP · London