Schutzvorrichtung vor Elektrostatischer Entladung mit Eingebettetem Asymmetrischem Übergang
EP2311090
Art B1
18. Januar 2017
Anmelder: NXP USA, Inc., Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2311090
- Aktenzeichen
- EP09800726
- Anmeldetag
- 11. Mai 2009
- Veröffentlichung
- 18. Januar 2017
- Erteilung
- 18. Januar 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/02H01L29/861
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP USA, Inc.
Freescale Semiconductor, Inc. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
1.545 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Wray, Antony John
Basingstoke, Großbritannien
604
Patente gesamt
24
Fachgebiete
10
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Freescale law department - EMEA patent ops
Freescale law department - EMEA patent ops · Toulouse
-
Ferro, Frodo Nunes
NoneToulouse