Leistungshalbleitervorrichtung mit einem Substrat mittels eines Sn-Sb-Cu-Lotes verbundenen Leistungshalbleiterbauelement und mit einem mit dem Substrat mittels eines Sn-Ag-basierten oder Sn-Ag-Cu-basierten Lotes verbundenen Anschlusselement und Herstellungsverfahren dafür
EP2312622
Art B1
23. Oktober 2019
Anmelder: Mitsubishi Electric Corporation, Senju Metal Industry Co., Ltd, SENJU METAL INDUSTRY CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2312622
- Aktenzeichen
- EP10175447
- Anmeldetag
- 6. September 2010
- Veröffentlichung
- 23. Oktober 2019
- Erteilung
- 23. Oktober 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/488H01L21/60H01L23/373H01L25/07B23K35/26C22C13/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Mitsubishi Electric Corporation
Senju Metal Industry Co., Ltd
SENJU METAL INDUSTRY CO., LTD. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsubishi Electric
Japanisches Unternehmen, das Elektro- und Elektroniktechnik entwickelt und herstellt, darunter Automatisierung, Energie-, Klima- und Fahrzeugtechnik.
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🇯🇵
Senju Metal Industry
Der Anmelder ist ein japanischer Hersteller von Lötmaterialien und Verbindungswerkstoffen. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Fertigungs- und Drucktechnik sowie auf Metallurgie und Elektronik, insbesondere Lotlegierungen und Lötverfahren für elektronische Baugruppen. Anmeldungen laufen seit dem Jahr 2000 durchgehend fort.
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