Dmos Grabentransistor mit Eingebettetem Schottky-Graben-Gleichrichter
EP2315247
Art B1
2. August 2017
Anmelder: GENERAL SEMICONDUCTOR, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2315247
- Aktenzeichen
- EP10011957
- Anmeldetag
- 2. Oktober 2001
- Veröffentlichung
- 2. August 2017
- Erteilung
- 2. August 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/06H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- GENERAL SEMICONDUCTOR, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
Fachgebiete
Vertreten von
Seuss, Thomas
Berlin, Deutschland
93
Patente gesamt
18
Fachgebiete
8
Anmelder-Länder
Schwerpunkte