Verfahren zur Herstellung von III-N Substraten und Freistehenden III-N Schichten

EP2322699 Art B1 26. März 2014

Anmelder: Freiberger Compound Materials GmbH, Osram Opto Semiconductors Gmbh 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2322699
Aktenzeichen: EP11157196
Anmeldetag: 5. Mai 2006
Veröffentlichung: 26. März 2014
Erteilung: 26. März 2014
Rechtsraum: EP
IPC: C30B29/40H01L21/205C30B25/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Freiberger Compound Materials GmbH
Osram Opto Semiconductors Gmbh
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 OSRAM Opto Semiconductors

Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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