Photodioden-Chip hoher Grenzfrequenz

EP2323177 Art A1 18. Mai 2011

Anmelder: Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V., Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der angewandten Wissenschaft E.V. 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2323177
Aktenzeichen: EP11075031
Anmeldetag: 18. Oktober 2006
Veröffentlichung: 18. Mai 2011
Rechtsraum: EP
IPC: H01L31/101H01L31/105H01L23/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.
Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der angewandten Wissenschaft E.V.
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Fraunhofer-Gesellschaft

Deutsche gemeinnützige Forschungsorganisation mit Sitz in München. Betreibt anwendungsorientierte Forschung in Technik und Naturwissenschaften über zahlreiche Institute für Industrie und Gesellschaft.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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