Optische Nitridhalbleitervorrichtung, Epitaxialwafer für eine Optische Nitridhalbleitervorrichtung sowie Verfahren zur Herstellung der Nitridhalbleitervorrichtung

EP2323180 Art A1 18. Mai 2011

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2323180
Aktenzeichen: EP09812924
Anmeldetag: 22. Januar 2009
Veröffentlichung: 18. Mai 2011
Rechtsraum: EP
IPC: H01L33/00H01L21/205H01S5/343

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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