Relaxation verspannter Schichten
EP2324493
Art B1
7. Mai 2014
Anmelder: Soitec, S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2324493
- Aktenzeichen
- EP09777696
- Anmeldetag
- 6. August 2009
- Veröffentlichung
- 7. Mai 2014
- Erteilung
- 7. Mai 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/324H01L21/20H01L33/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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