Herstellungsverfahren für eine Schottky-Diode
EP2325884
Art B1
1. Januar 2014
Anmelder: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., NXP B.V. 🇹🇼
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2325884
- Aktenzeichen
- EP09176772
- Anmeldetag
- 23. November 2009
- Veröffentlichung
- 1. Januar 2014
- Erteilung
- 1. Januar 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/06H01L21/329H01L21/331H01L29/872H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.
NXP B.V. - Land
- 🇹🇼 Taiwan
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Riemann, Jörg
München, Deutschland
27
Patente gesamt
13
Fachgebiete
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Weitere Vertreter
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Burton, Nick
Murgitroyd & Company · Leeds