Gringo-Heteroübergangs-Bipolartransistor mit einer Extrinsischen Basisregion aus Metall
EP2327089
Art A1
1. Juni 2011
Anmelder: NXP B.V., Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2327089
- Aktenzeichen
- EP09786807
- Anmeldetag
- 5. August 2009
- Veröffentlichung
- 1. Juni 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/331H01L21/8249
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP B.V.
Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw - Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.918 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Crawford, Andrew
Nijmegen, Niederlande
618
Patente gesamt
20
Fachgebiete
6
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Williamson, Paul Lewis
NoneEindhoven