Herstellungsverfahren für DRAM-integrierte Schaltungsvorrichtung

EP2328171 Art A1 1. Juni 2011

Anmelder: Fujitsu Semiconductor Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2328171
Aktenzeichen: EP10194519
Anmeldetag: 25. Dezember 2003
Veröffentlichung: 1. Juni 2011
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/768H01L21/8242

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fujitsu Semiconductor Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujitsu Semiconductor

Der Anmelder war die Halbleitersparte des japanischen Fujitsu-Konzerns, deren Geschäft später in das Unternehmen Socionext überging. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter- und Elektrobauelemente sowie auf Datenspeicherung, Elektronik, Software und Nachrichtentechnik. Anmeldungen stammen aus dem Zeitraum 2000 bis 2015.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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