Auf Zweidimensionalem Photonischem Kristall Basierender Laser

EP2330699 Art B1 30. November 2016

Anmelder: Japan Science and Technology Agency 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2330699
Aktenzeichen: EP09809498
Anmeldetag: 18. August 2009
Veröffentlichung: 30. November 2016
Erteilung: 30. November 2016
Rechtsraum: EP
IPC: H01S5/10H01S5/18H01S5/187

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Japan Science and Technology Agency
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Japan Science and Technology Agency

Japanische staatliche Förderorganisation für Wissenschaft und Technologie, die Forschungsprojekte finanziert und den Technologietransfer zwischen Universitäten und Industrie unterstützt. Die Behörde untersteht dem japanischen Bildungsministerium.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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