Verfahren zum Steuern einer SeOI-DRAM-Speicherzelle mit einem zweiten Kontrollgate, das unter einer Isolierschicht verborgen ist
EP2333779
Art A1
15. Juni 2011
Anmelder: Soitec, S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2333779
- Aktenzeichen
- EP10187012
- Anmeldetag
- 8. Oktober 2010
- Veröffentlichung
- 15. Juni 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C11/404H01L27/108H01L29/423H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
529 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Collin, Jérôme
Paris, Frankreich
478
Patente gesamt
32
Fachgebiete
21
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Regimbeau
Regimbeau · Rennes