Verfahren zur Herstellung eines P-Typ-Galliumnitridhalbleiters , Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements auf Nitridbasis und Verfahren zur Herstellung eines Epitaxialwafers
EP2333819
Art A1
15. Juni 2011
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2333819
- Aktenzeichen
- EP09819023
- Anmeldetag
- 22. Mai 2009
- Veröffentlichung
- 15. Juni 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/205C23C16/34C30B29/38H01L33/00H01L21/02C30B33/00C30B25/18C30B29/40
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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