Schaltung für einheitliche Transistoren auf SeOI mit verborgenem hinteren Steuergate unter einem Isolierschicht

EP2333833 Art A1 15. Juni 2011

Anmelder: Soitec, S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2333833
Aktenzeichen
EP10192766
Anmeldetag
26. November 2010
Veröffentlichung
15. Juni 2011
Rechtsraum
EP
IPC
H01L27/12H01L27/118H01L29/786
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Soitec
S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies
Land
🇫🇷 Frankreich
🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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