Bipolartransistor mit isoliertem Gate und Verfahren zu dessen Herstellung

EP2333839 Art B1 1. August 2018

Anmelder: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2333839
Aktenzeichen: EP10195097
Anmeldetag: 25. September 2001
Veröffentlichung: 1. August 2018
Erteilung: 1. August 2018
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/739H01L21/331H01L29/08H01L29/10H01L21/8234H01L27/06// H01L29/423

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Kabushiki Kaisha Toshiba
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Toshiba Electronic Devices & Storage

Toshiba Electronic Devices & Storage ist eine Tochtergesellschaft des japanischen Toshiba-Konzerns für Halbleiterbauelemente und Speicherprodukte. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Halbleiter- und elektrische Bauelemente, ergänzt um Mess- und Prüftechnik sowie Software und Telekommunikation. Die Anmeldungen betreffen überwiegend Halbleiterbauelemente und zugehörige Steuerschaltungen.

254 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

13.642 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von