Verfahren zur Herstellung von Seitenwachstums-Halbleiternanodrähten und nach dem Verfahren Erhaltene Transistoren
Anmelder: École Polytechnique, Centre National de la Recherche Scientifique, Ecole Polytechnique 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2334848
- Aktenzeichen
- EP09756003
- Anmeldetag
- 9. Oktober 2009
- Veröffentlichung
- 26. Dezember 2012
- Erteilung
- 26. Dezember 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B11/12C30B29/06C30B29/60C30B29/08H01L29/06H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- École Polytechnique
Centre National de la Recherche Scientifique
Ecole Polytechnique - Land
- 🇫🇷 Frankreich
Französische staatliche Forschungsorganisation mit Sitz in Paris. Betreibt Grundlagen- und angewandte Forschung in nahezu allen wissenschaftlichen Disziplinen über zahlreiche Institute und Labore.
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Die Ecole Polytechnique ist eine französische Ingenieurhochschule bei Paris mit starker naturwissenschaftlicher Forschung. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Mess- und Prüftechnik, ergänzt um Elektronik, Metallurgie und Optik. Anmeldungen laufen durchgehend von 2000 bis in die Gegenwart, unter anderem zu Photovoltaik.
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