Verfahren zur Herstellung von Mos-Bauelementen mit Hochbeanspruchten Kanälen
EP2335277
Art B1
22. Juli 2015
Anmelder: Advanced Micro Devices, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2335277
- Aktenzeichen
- EP09793070
- Anmeldetag
- 28. September 2009
- Veröffentlichung
- 22. Juli 2015
- Erteilung
- 22. Juli 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Advanced Micro Devices, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
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Fachgebiete
Vertreten von
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Brookes Batchellor LLP · London