Methode zur Herstellung eines Ionen-Implantierten Halbleitersubstrates
EP2336827
Art B1
16. September 2015
Anmelder: Rohm and Haas Electronic Materials LLC 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2336827
- Aktenzeichen
- EP10195067
- Anmeldetag
- 15. Dezember 2010
- Veröffentlichung
- 16. September 2015
- Erteilung
- 16. September 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G03F7/039H01L21/365
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Rohm and Haas Electronic Materials LLC
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Rohm and Haas
Ehemaliger US-amerikanischer Spezialchemiekonzern mit Sitz in Philadelphia, unter anderem für Kunststoffe, Beschichtungen und Elektronikchemikalien bekannt. Wurde 2009 von Dow Chemical übernommen.
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Kanzlei
Patent Outsourcing Limited
Sitz im englischen Bakewell in Derbyshire, Kanzlei aus UK Chartered und European Patent Attorneys mit eigener Industrieerfahrung. Spezialisiert auf europäische Patentanmeldung sowie Einspruchs- und Beschwerdeverfahren für US-amerikanische und europäische Firmenkunden.
7.085
Patente gesamt
1
Patentanwälte
1
Standorte
Weitere Vertreter
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Buckley, Guy Julian
NoneBakewell