Verfahren zur Herstellung einer Speicherzelle mit Geteiltem Gate
EP2338168
Art A2
29. Juni 2011
Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2338168
- Aktenzeichen
- EP09822395
- Anmeldetag
- 29. September 2009
- Veröffentlichung
- 29. Juni 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8247H01L27/115H01L21/28H01L21/336H01L29/423H01L29/788H01L29/792H01L29/66
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Freescale Semiconductor, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
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Fachgebiete
Vertreten von
Wray, Antony John
Basingstoke, Großbritannien
604
Patente gesamt
24
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10
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Weitere Vertreter
-
Ferro, Frodo Nunes
NoneToulouse