Halbleiteranordnung mit isoliertem Gate und Verfahren zu deren Herstellung
EP2338177
Art B1
4. Juni 2014
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2338177
- Aktenzeichen
- EP09741426
- Anmeldetag
- 6. Oktober 2009
- Veröffentlichung
- 4. Juni 2014
- Erteilung
- 4. Juni 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/06H01L29/423H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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