FET auf GaN-basis und Herstellungsverfahren dafür

EP2339634 Art B1 25. März 2015

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2339634
Aktenzeichen: EP10194816
Anmeldetag: 14. Dezember 2010
Veröffentlichung: 25. März 2015
Erteilung: 25. März 2015
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/778H01L21/335H01L29/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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