Verfahren zur Herstellung eines Siliciumdünnfilm-Übertragungsisolationswafers
EP2343729
Art B1
30. November 2016
Anmelder: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2343729
- Aktenzeichen
- EP09823666
- Anmeldetag
- 29. Oktober 2009
- Veröffentlichung
- 30. November 2016
- Erteilung
- 30. November 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/02H01L27/12H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Chemical
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Shin-Etsu Chemical stellt Siliziumwafer für Halbleiter, Silikonprodukte, PVC und weitere Spezialchemikalien für Elektronik-, Bau- und Industrieanwendungen her.
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Fachgebiete
Vertreten von
Larcher, Dominique
Rennes, Frankreich
564
Patente gesamt
32
Fachgebiete
18
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Vidon Brevets & Stratégie
Vidon Brevets & Stratégie · Rennes