Halbleiterstruktur mit Stoppschicht für Elektrischer Feld für Verbesserten Randabschluss
EP2345063
Art A2
20. Juli 2011
Anmelder: Northrop Grumman Systems Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2345063
- Aktenzeichen
- EP09818093
- Anmeldetag
- 29. September 2009
- Veröffentlichung
- 20. Juli 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/70H01L29/76H01L29/06// H01L21/265
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Northrop Grumman Systems Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Northrop Grumman
US-amerikanischer Rüstungs- und Luftfahrtkonzern mit Sitz in Virginia, tätig in den Bereichen Verteidigungselektronik, Flugzeugbau, Raumfahrt und Cybersicherheit.
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Fachgebiete
Kanzlei
WP Thompson
Bereits 1873 gegründet, eine der traditionsreichsten britischen Patent- und Markenkanzleien mit Büros in London, Liverpool und Cardiff. Begleitet von der Anmeldung bis zur Verwertung, einschließlich Litigation vor dem Einheitlichen Patentgericht.
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