Verfahren zur Herstellung eines Stapels von Halbleiter-Dünnfilmen

EP2345067 Art B1 17. September 2014

Anmelder: Soitec, S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2345067
Aktenzeichen
EP09740907
Anmeldetag
29. Oktober 2009
Veröffentlichung
17. September 2014
Erteilung
17. September 2014
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/762
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Soitec
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
Land
🇫🇷 Frankreich
🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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