Elektronisches Iii-Nitridhalbleiterbauelement, Herstellungsverfahren für ein Elektronisches Iii-Nitridhalbleiterbauelement und Epitaktischer Iii-Nitridhalbleiterwafer
EP2346068
Art A1
20. Juli 2011
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2346068
- Aktenzeichen
- EP09822028
- Anmeldetag
- 20. Oktober 2009
- Veröffentlichung
- 20. Juli 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/205H01L21/336H01L29/12H01L29/20H01L29/47H01L29/78H01L29/861H01L29/872H01L21/02H01L29/32H01L29/417H01L29/423H01L29/66H01L29/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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