DRAM-Speicherzelle mit einem vertikalen bipolaren Injektor und entsprechendes Betriebsverfahren
EP2346077
Art A1
20. Juli 2011
Anmelder: Soitec, S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2346077
- Aktenzeichen
- EP10187682
- Anmeldetag
- 15. Oktober 2010
- Veröffentlichung
- 20. Juli 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/07H01L27/108H01L29/78G11C11/404H01L29/786H01L29/08H01L29/73
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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Vertreten von
Collin, Jérôme
Paris, Frankreich
478
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Regimbeau
Regimbeau · Rennes