Speicherzelle mit schwebendem Körper, in welcher der Kanal durch eine vergrabene dielektrische Schicht führt, und Herstellungsverfahren derselben
EP2346078
Art A1
20. Juli 2011
Anmelder: Soitec, S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2346078
- Aktenzeichen
- EP10193846
- Anmeldetag
- 6. Dezember 2010
- Veröffentlichung
- 20. Juli 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/108H01L29/78H01L29/10H01L29/423H01L29/786H01L21/762H01L29/73H01L21/84H01L27/12H01L27/07// H01L21/336H01L29/788
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
801 Patente in unserer Datenbank
🇫🇷
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies war ein französischer Hersteller von Silizium-auf-Isolator-Wafern für die Halbleiterindustrie, das heutige Unternehmen firmiert als Soitec. Der Patentbestand konzentriert sich fast ausschließlich auf Halbleiterbauelemente und Waferbondverfahren.
323 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Collin, Jérôme
Paris, Frankreich
478
Patente gesamt
32
Fachgebiete
21
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Regimbeau
Regimbeau · Rennes