Speicherzelle mit schwebendem Körper, in welcher der Kanal durch eine vergrabene dielektrische Schicht führt, und Herstellungsverfahren derselben
EP2346078
Art A1
20. Juli 2011
Anmelder: Soitec, S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2346078
- Aktenzeichen
- EP10193846
- Anmeldetag
- 6. Dezember 2010
- Veröffentlichung
- 20. Juli 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/108H01L29/78H01L29/10H01L29/423H01L29/786H01L21/762H01L29/73H01L21/84H01L27/12H01L27/07// H01L21/336H01L29/788
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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Fachgebiete
Vertreten von
Collin, Jérôme
Paris, Frankreich
478
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Regimbeau
Regimbeau · Rennes