Lichtemittierendes Gallium-Nitrid-Halbleiterbauelement, Herstellungsverfahren Dafür, Gallium-Nitrid-Leuchtdiode, Epitaktischer Wafer und Verfahren zur Herstellung der Gallium-Nitrid-Leuchtdiode

EP2346097 Art A1 20. Juli 2011

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2346097
Aktenzeichen: EP09819191
Anmeldetag: 6. Oktober 2009
Veröffentlichung: 20. Juli 2011
Rechtsraum: EP
IPC: H01L33/16H01L33/32H01L21/02H01S5/32H01S5/34

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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