Halbleiterbauelement aus Siliciumcarbid
EP2348530
Art B1
9. März 2016
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd., National University Corporation Nara Institute of Science and Technology 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2348530
- Aktenzeichen
- EP09817584
- Anmeldetag
- 7. August 2009
- Veröffentlichung
- 9. März 2016
- Erteilung
- 9. März 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/12H01L21/28H01L21/336H01L21/337H01L29/417H01L29/78H01L29/808H01L29/861
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
National University Corporation Nara Institute of Science and Technology - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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