Oc-Dram-Zelle mit Erhöhtem Messbereich
EP2351081
Art A2
3. August 2011
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2351081
- Aktenzeichen
- EP09821037
- Anmeldetag
- 8. Oktober 2009
- Veröffentlichung
- 3. August 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/108H01L21/8242B82Y10/00H01L29/78H01L29/66G11C11/404H01L29/10H01L21/336H01L27/12H01L21/84
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Vertreten von
Maury, Richard Philip
St. Albans, Großbritannien
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