Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
EP2351088
Art B1
14. September 2016
Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2351088
- Aktenzeichen
- EP09821915
- Anmeldetag
- 28. September 2009
- Veröffentlichung
- 14. September 2016
- Erteilung
- 14. September 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/786G02F1/1345G02F1/1368H01L51/50H01L29/66H01L29/423H01L29/24H01L21/477// H01L27/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Semiconductor Energy Laboratory
Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.
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