Verfahren zur Herstellung eines Lichtemittierenden Nitridhalbleiterelements und Verfahren zur Herstellung eines Epitaktischen Wafers

EP2352182 Art A1 3. August 2011

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2352182
Aktenzeichen: EP09821994
Anmeldetag: 19. Oktober 2009
Veröffentlichung: 3. August 2011
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/205H01L33/06H01L33/32H01L33/16

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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