Verfahren zur Bildung einer Verbergungsstruktur für Integrierte Schaltkreise
EP2353172
Art A2
10. August 2011
Anmelder: Micron Technology, Inc., Micron Technology, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2353172
- Aktenzeichen
- EP09828009
- Anmeldetag
- 6. November 2009
- Veröffentlichung
- 10. August 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/033H01L21/027// H01L21/768G03F7/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Micron Technology, Inc.
Micron Technology, INC. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Kanzlei
Carpmaels & Ransford LLP
Carpmaels & Ransford gehört zu den ältesten IP-Kanzleien überhaupt und geht auf eine 1776 gegründete Patentagentur zurück. Von London, München und Dublin aus führt sie als eine der wenigen Häuser Parallelverfahren vor EPA, UPC und britischen Gerichten aus einem Team.
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