Vorrichtung mit einem Kontakt zwischen Halbleiterregionen durch eine versenkte Isolierschicht, sowie Verfahren zur Herstellung der besagten Vorrichtung
EP2355143
Art A1
10. August 2011
Anmelder: Soitec, S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2355143
- Aktenzeichen
- EP11150845
- Anmeldetag
- 13. Januar 2011
- Veröffentlichung
- 10. August 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/84H01L27/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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Fachgebiete
Vertreten von
Collin, Jérôme
Paris, Frankreich
478
Patente gesamt
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Regimbeau
Regimbeau · Rennes