Integrierter Schaltkreis, der mit einem Schutz gegen elektrostatische Entladungen ausgestattet ist
EP2355152
Art A1
10. August 2011
Anmelder: STMicroelectronics (Rousset) SAS 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2355152
- Aktenzeichen
- EP10197148
- Anmeldetag
- 28. Dezember 2010
- Veröffentlichung
- 10. August 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- STMicroelectronics (Rousset) SAS
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
STMicroelectronics (Rousset)
Französischer Produktionsstandort des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics in Rousset. Der Standort fertigt integrierte Schaltkreise und Halbleiterbauelemente für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.
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Vertreten von
de Beaumont, Michel
Grenoble, Frankreich
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