Verfahren zur Herstellung eines Verbundsubstrats mit Darauf Laminiertem Halbleiter mit Grosser Bandlücke
EP2357660
Art B1
3. September 2014
Anmelder: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2357660
- Aktenzeichen
- EP09831939
- Anmeldetag
- 10. Dezember 2009
- Veröffentlichung
- 3. September 2014
- Erteilung
- 3. September 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/02H01L21/265H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Chemical
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Shin-Etsu Chemical stellt Siliziumwafer für Halbleiter, Silikonprodukte, PVC und weitere Spezialchemikalien für Elektronik-, Bau- und Industrieanwendungen her.
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Fachgebiete
Vertreten von
Martin, Didier Roland Valéry
Charbonnières-les-Bains, Frankreich
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