Siliciumcarbid-Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
EP2357671
Art A1
17. August 2011
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2357671
- Aktenzeichen
- EP09827391
- Anmeldetag
- 3. Februar 2009
- Veröffentlichung
- 17. August 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L21/316H01L21/336H01L29/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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