Halbleiter-Leuchtelementarray und Herstellungsverfahren dafür

EP2357676 Art A1 17. August 2011

Anmelder: National University Corporation Hokkaido University, Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2357676
Aktenzeichen: EP08877389
Anmeldetag: 17. Oktober 2008
Veröffentlichung: 17. August 2011
Rechtsraum: EP
IPC: H01L27/15H01L33/08H01L33/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: National University Corporation Hokkaido University
Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National University Corporation Hokkaido University

Staatliche japanische Universität in Sapporo mit breiter Forschung, u.a. in Agrarwissenschaften, Ingenieurwesen und Materialwissenschaften.

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🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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