Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen mittels Laserglühen zur selektiven Aktivierung von implantierten Dotiersubstanzen

EP2360717 Art B1 28. März 2012

Anmelder: ABB Technology AG 🇨🇭

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2360717
Aktenzeichen: EP09178466
Anmeldetag: 9. Dezember 2009
Veröffentlichung: 28. März 2012
Erteilung: 28. März 2012
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/331H01L21/265H01L21/268

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: ABB Technology AG
Land: 🇨🇭 Schweiz

🇨🇭 ABB

Schweizerisch-schwedischer Technologiekonzern mit Sitz in Zürich. Fokussiert auf Elektrifizierung, Robotik, industrielle Automatisierung sowie Antriebstechnik für Industrie- und Energiekunden.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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